[发明专利]降低铜互连结构中铜的电迁移的方法及铜互连结构有效
| 申请号： | 201010144213.3 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214600A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种降低铜互连结构中铜的电迁移的方法及铜互连结构，该铜互连结构包括基底以及位于基底上的低介电常数材料层，该低介电常数材料层具有沟槽，该沟槽的底壁、侧壁以及低介电常数材料层上覆盖有阻挡层，所述沟槽内填充有金属铜，溢出所述沟槽的金属铜形成块铜，该方法包括：对所述金属铜和阻挡层进行化学机械抛光至所述铜表面与沟槽底壁之间的距离小于或等于阻挡层表面与沟槽底壁之间的距离，在抛光过程中，铜的抛光速率大于阻挡层的抛光速率。由于本发明金属铜表面低于阻挡层的表面，这样，铜离子无法通过阻挡层高于金属铜表面的部分，所述阻挡层可以阻止位于相邻沟槽内的铜离子的电迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 互连 结构 迁移 方法 | ||
【主权项】：
一种降低铜互连结构中铜的电迁移的方法，该铜互连结构包括基底以及位于基底上的低介电常数材料层，该低介电常数材料层具有沟槽，该沟槽的底壁、侧壁以及低介电常数材料层上覆盖有阻挡层，所述沟槽内填充有金属铜，溢出所述沟槽的金属铜形成块铜，其特征在于，该方法包括：对所述金属铜和阻挡层进行化学机械抛光至所述铜表面与沟槽底壁之间的距离小于或等于阻挡层表面与沟槽底壁之间的距离，在抛光过程中，铜的抛光速率大于阻挡层的抛光速率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010144213.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
