[发明专利]用于有机硅单体合成的铜(Ⅰ)基催化剂的制备方法无效
| 申请号： | 201010144240.0 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102211031A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王广建;刘光彦;张凤霞 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | B01J27/122 | 分类号： | B01J27/122;B01J23/72;B01J37/10;B01J37/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266042 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 用于有机硅单体合成的铜(Ⅰ)基催化剂制备方法，属于化工技术领域。本技术包括以下步骤：(1)将铜(Ⅱ)盐溶解于溶液A中；(2)加入晶体生长抑制剂充分搅拌，再加入含醛基、醇基或者醇糖基的物质作为还原剂，将料液转移入耐压耐腐蚀反应釜中；(3)封釜，加热至50-300℃，反应时间0.5-48小时；(4)得到的沉淀物冷却后过滤，用常规方法洗涤、干燥后即得形状规则的目标产品铜(Ⅰ)基催化剂。本发明的制备工艺简单，易于控制，无有害气体、废液排放。采用本发明制备的铜(Ⅰ)基催化剂用于有机硅单体的合成，可有效提高产物的选择性及硅粉的转化率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机硅 单体 合成 催化剂 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于有机硅单体合成的铜(I)基催化剂的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)将铜(II)盐溶解于溶液A中；(2)加入晶体生长抑制剂后，充分搅拌，然后加入含醛基、醇基或者醇糖基的物质作为还原剂，将料液转移入耐压耐腐蚀反应釜；(3)封釜，加热至50‑300℃，反应时间0.5‑48小时；(4)得到沉淀物，冷却后过滤，用常规方法洗涤所述的沉淀物，干燥后即得到形状规则的目标产品铜(I)基催化剂。
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