[发明专利]热电装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201010144277.3 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214784A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;郭景宗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/10;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种热电装置及其形成方法，其中热电装置包括：半导体衬底；贯穿半导体衬底的多个隔离结构、以及分别位于隔离结构两侧的n型热电结构、p型热电结构，且所述p型热电结构与n型热电间隔排列；位于半导体衬底上表面的多个第一导电电极，位于半导体衬底下表面的多个第二导电电极；其中第一导电电极电连接相邻的n型热电结构与p型热电结构，第二导电电极电连接相邻的n型热电结构与p型热电结构，且第一导电电极和第二导电电极将所有的n型热电结构，p型热电结构串联。采用本发明形成的热电装置冷却效果较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种热电装置，其特征在于，包括：半导体衬底；贯穿半导体衬底的多个隔离结构、以及分别位于隔离结构两侧的n型热电结构、p型热电结构，且所述p型热电结构与n型热电间隔排列；位于半导体衬底上表面的多个第一导电电极，位于半导体衬底下表面的多个第二导电电极；其中第一导电电极电连接相邻的n型热电结构与p型热电结构，第二导电电极电连接相邻的n型热电结构与p型热电结构，且第一导电电极和第二导电电极将所有的n型热电结构，p型热电结构串联。
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