[发明专利]双面抛光半导体晶片的方法有效
申请号: | 201010144726.4 | 申请日: | 2010-03-22 |
公开(公告)号: | CN101927447A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | J·施万德纳 | 申请(专利权)人: | 硅电子股份公司 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;H01L21/304 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种双面抛光半导体晶片的方法,所述方法包括在第一步中,用含有固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的正面,同时用不含磨料的抛光垫抛光半导体晶片的背面,但是在这个过程中将含有磨料的抛光剂加入到该抛光垫和半导体晶片的背面之间,然后翻转半导体晶片,然后在第二步中,用含有固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的背面,同时用不含固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的正面,含有磨料的抛光剂被加入到该抛光垫和半导体晶片的正面之间。 | ||
搜索关键词: | 双面 抛光 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】:
一种双面抛光半导体晶片的方法,其包括在第一步中,用含有固着磨料的抛光垫抛光所述半导体晶片的正面,同时用不含磨料的抛光垫抛光所述半导体晶片的背面,但是在这个过程中将含有磨料的抛光剂加入到该抛光垫和该半导体晶片的背面之间;然后翻转半导体晶片;接着在第二步中,用含有固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的背面,同时用不含固着磨料的抛光垫抛光半导体晶片的正面,含有磨料的抛光剂被加入到该抛光垫和该半导体晶片的正面之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅电子股份公司,未经硅电子股份公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010144726.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:喷出装置及使用喷出装置的喷出方法
- 下一篇:背镗孔切削工具