[发明专利]半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201010145090.5 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102214690A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。根据本发明的半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底(1001)；在半导体衬底(1001)上形成的栅极；以及分别在栅极两侧的半导体衬底(1001)中形成的高掺杂的第一导电类型的区域(1008)和高掺杂的第二导电类型的区域(1012)，其中，高掺杂的第二导电类型的区域(1012)在栅极一侧的端部通过介质层(1011′)与半导体衬底(1001)隔开。这种半导体器件能够提供极佳的开关性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件(100)，包括：第一导电类型的半导体衬底(1001)；在半导体衬底(1001)上形成的栅极；以及分别在栅极两侧的半导体衬底(1001)中形成的高掺杂的第一导电类型的区域(1008)和高掺杂的第二导电类型的区域(1012)，其中，高掺杂的第二导电类型的区域(1012)在栅极一侧的端部通过介质层(1011′)与半导体衬底(1001)隔开。
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