[发明专利]一种制作纳米开关的方法有效
| 申请号： | 201010145217.3 | 申请日： | 2010-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN102214577A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 徐静波;张海英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作纳米开关的方法，该方法包括：步骤1：在衬底背面制作背栅电极；步骤2：在衬底正面生长氧化介质；步骤3：在生长的氧化介质上制作底层电极；步骤4：超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面；步骤5：将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；步骤6：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；步骤7：将源电极接地，漏电极接负载，并在源漏电极间施加直流电压；步骤8：将背栅电极外接至RF激励信号源。本发明利用一维纳米材料的共振原理、纳米压电器件特性及开关特性，经过上述工艺流程，达到了制作纳米开关的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 纳米 开关 方法 | ||
【主权项】：
一种制作纳米开关的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：在衬底背面制作背栅电极；步骤2：在衬底正面生长氧化介质；步骤3：在生长的氧化介质上制作底层电极；步骤4：超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面；步骤5：将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；步骤6：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；步骤7：将源电极接地，漏电极接负载，并在源漏电极间施加直流电压；步骤8：将背栅电极外接至RF激励信号源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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