[发明专利]一种对半导体器件进行提参建模的方法无效
申请号: | 201010145308.7 | 申请日: | 2010-04-09 |
公开(公告)号: | CN102214252A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 卜建辉;毕津顺;韩郑生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种对半导体器件进行提参建模的方法,该方法包括:用半导体参数测试仪对半导体器件进行测试,得到该半导体器件的原始数据;用提参软件从该半导体器件的原始数据中提取参数,得到旧模型参数;在得到的旧模型参数中加入宏模型,形成含有未知参数的准新模型;获取新模型参数,将该新模型参数加入到含有未知参数的准新模型中,形成新模型。本发明提供的这种对半导体器件进行提参建模的方法,使用了宏模型,实现了对新加模型参数提取的自动化,从而使得复杂的提参建模变的更加简单和高效。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 进行 参建 方法 | ||
【主权项】:
一种对半导体器件进行提参建模的方法,其特征在于,该方法包括:用半导体参数测试仪对半导体器件进行测试,得到该半导体器件的原始数据;用提参软件从该半导体器件的原始数据中提取参数,得到旧模型参数;在得到的旧模型参数中加入宏模型,形成含有未知参数的准新模型;获取新模型参数,将该新模型参数加入到含有未知参数的准新模型中,形成新模型。
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