[发明专利]一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法无效

专利信息
申请号: 201010145898.3 申请日: 2010-04-13
公开(公告)号: CN101797644A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 张立;吴厚平;陈述;熊湘君 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: B22F1/00 分类号: B22F1/00
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 邓建辉
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法,属于粉末冶金与材料学领域。超细、纳米WC粉末中WC晶粒异常长大必然会导致超细、特级超细硬质合金中WC晶粒异常长大,从而导致合金性能的明显降低。本发明通过对W+C混合料进行掺杂处理实现对超细、纳米WC粉末制备过程中,即超细、纳米W粉末碳化过程中WC晶粒异常长大行为的有效抑制。本发明中的掺杂处理,即在W+C混合料中掺入0.03~0.06%的稀土氧化物,其中稀土氧化物以硝酸盐溶液形式加入。
搜索关键词: 一种 抑制 纳米 wc 粉末 晶粒 异常 长大 方法
【主权项】:
一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法,通过对W+C混合料进行掺杂处理达到,其特征是:在W+C混合料中掺入质量含量为0.03~0.06%的稀土氧化物。
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