[发明专利]一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法无效
申请号: | 201010145898.3 | 申请日: | 2010-04-13 |
公开(公告)号: | CN101797644A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 张立;吴厚平;陈述;熊湘君 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | B22F1/00 | 分类号: | B22F1/00 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 邓建辉 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法,属于粉末冶金与材料学领域。超细、纳米WC粉末中WC晶粒异常长大必然会导致超细、特级超细硬质合金中WC晶粒异常长大,从而导致合金性能的明显降低。本发明通过对W+C混合料进行掺杂处理实现对超细、纳米WC粉末制备过程中,即超细、纳米W粉末碳化过程中WC晶粒异常长大行为的有效抑制。本发明中的掺杂处理,即在W+C混合料中掺入0.03~0.06%的稀土氧化物,其中稀土氧化物以硝酸盐溶液形式加入。 | ||
搜索关键词: | 一种 抑制 纳米 wc 粉末 晶粒 异常 长大 方法 | ||
【主权项】:
一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法,通过对W+C混合料进行掺杂处理达到,其特征是:在W+C混合料中掺入质量含量为0.03~0.06%的稀土氧化物。
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