[发明专利]具有杂芳环的咔唑衍生物及使用它的发光元件及发光装置有效
申请号: | 201010145971.7 | 申请日: | 2010-03-19 |
公开(公告)号: | CN101838262A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 野村洸子;川上祥子;大泽信晴;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C07D403/12 | 分类号: | C07D403/12;C07D403/14;C07D413/12;C07D413/14;C09K11/06;H01L51/54;H01L27/32 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 吴娟;林毅斌 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题在于:提供激发能大的物质,特别是具有比发射可见光的磷光化合物的三重激发能宽的能隙的化合物;提供具有双极性的化合物;提高发光元件的元件特性;以及提供耗电量少且驱动电压低的发光装置及电子设备。本发明提供:在同一分子中包括具有电子传输性的杂芳环的噁二唑骨架或喹喔啉骨架和具有空穴传输性的咔唑骨架的具有杂芳环的咔唑衍生物;将所述具有杂芳环的咔唑衍生物用于发光层或载流子传输层的发光元件;以及应用所述发光元件的发光装置及电子设备。 | ||
搜索关键词: | 具有 杂芳环 衍生物 使用 发光 元件 装置 | ||
【主权项】:
1.一种由通式(G1)表示的咔唑衍生物,
其中:Q是由通式(Q1)表示的取代基
Ar1和Ar2分别是形成环的碳数为6至10的芳基;R11至R15以及R21至R27分别是氢原子、碳数为1至4的烷基或形成环的碳数为6至10的芳基;并且,R28至R31分别是氢原子或碳数为1至4的烷基。
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