[发明专利]晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法有效
| 申请号： | 201010146391.X | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101834225A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘贤金;周大良;周小荣 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现晶体硅太阳能电池各种色彩氮化硅膜的生产方法，该方法使用常规管式PECVD设备，在既定的衬底温度和射频功率下，调整SiH4/NH3流量比，控制射频放电频率，控制反应室压强及淀积时间，在硅片上均匀淀积各种颜色氮化硅薄膜。方法简单，易于实现，无污染，适用于产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 各色 氮化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法，采用常规等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法和设备，在硅片表面淀积氮化硅膜，其特征是，采用电阻率为0.2欧姆/厘米-30欧姆/厘米的P型硅片做衬底，根据氮化硅膜的比色表，在既有的衬底温度和射频功率下，通过调整SiH4/NH3流量比，控制射频放电频率，控制反应室压强，控制淀积时间，形成不同颜色的氮化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
