[发明专利]一种柔性有机阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201010146401.X | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102222512A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄如;邝永变;唐昱;张丽杰;高德金;唐迫人;于哲 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种柔性有机阻变存储器及其制备方法，属于集成电路技术领域。该器件采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。由于用聚对二甲苯聚合物膜同时作为有机阻变存储器的衬底和功能层，可制备出柔韧、可弯曲的有机阻变存储器。本发明柔性有机阻变存储器的关态电流小，性能优异，且工艺成本低。开关态的电流比率高达108，比基于SiO2/Si衬底的聚对二甲苯阻变存储器的开关比率高出3-4个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 有机 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性有机阻变存储器，其特征在于，采用聚对二甲苯聚合物膜为衬底，衬底上为MIM结构的阻变存储器，阻变存储器的底层和顶层分别为金属电极，阻变存储器的中间功能层为聚对二甲苯聚合物膜。
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