[发明专利]电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg2Si薄膜工艺无效
| 申请号： | 201010147303.8 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101798674A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 谢泉;肖清泉;赵珂杰;张晋敏;陈茜;余志强 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 吴无惧 |
| 地址： | 550025 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg2Si薄膜工艺。其过程为:将清洗好的Si片置于蒸镀室内，对蒸镀室抽真空并保持。先将电子束聚焦光斑调宽，预蒸发1～2min，再正式开始蒸镀。蒸镀时，电子束功率为2～4KW，蒸发速率保持在10～30nm/min，衬底温度为150～200℃。蒸镀完成后自然冷却至室温，再取出并置于高真空退火炉中。退火炉背底真空小于等于10-3Pa，为抑制Mg挥发，退火前腔体内通入氩气，并封闭。整个退火过程中，保持氩气气压为-0.01MPa到-0.1MPa。退火时间3-7小时,退火温度300℃-500℃，直接形成环境友好半导体Mg2Si多晶薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 蒸发 法制 环境友好 半导体材料 mg sub si 薄膜 工艺 | ||
【主权项】：
一种电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的工艺，其特征在于：它包括以下过程：第一，将Si片清洗干燥；第二，将Si片固定在蒸镀室上方的样品架上，Mg靶放置在蒸发坩埚内；第三，蒸镀；第四，蒸镀后冷却，再取出置于高真空退火炉中在氩气氛围中退火，形成环境友好半导体Mg2Si多晶薄膜。
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