[发明专利]窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构无效
| 申请号： | 201010147564.X | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222857A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王晓薇;王颖;杜阳光;赵凤岐 | 申请（专利权）人： | 海特光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构，涉及光电子技术，包括x个激光二极管管芯；上下叠层有y层；在同一水平面上，x个激光二极管管芯并联构成线列阵作为一层，依据需要上下叠置y层，上层管芯与相邻下层管芯共纵轴设置，上下相邻层的管芯以电极串连方式直接烧结在一起，构成阵列结构。本发明适用于窄脉宽、低占空比的激光器件，同时，制作工艺简单，成本低，具有非常好的产业化前景。 | ||
| 搜索关键词： | 窄脉宽低占空 激光二极管 阵列 结构 | ||
【主权项】：
一种窄脉宽低占空比激光二极管阵列结构，其特征在于：至少两个激光二极管管芯上下叠层堆叠，共纵轴设置，将两个管芯以电极串连方式直接固接在一起，构成阵列结构。
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