[发明专利]抗温变复合高介电子材料及其制备方法无效
申请号: | 201010147770.0 | 申请日: | 2010-04-14 |
公开(公告)号: | CN101851091A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 苏皓;方芳 | 申请(专利权)人: | 河北理工大学 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622 |
代理公司: | 唐山永和专利商标事务所 13103 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 063000 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 一种抗温变复合高介电子材料及其制备方法,其组分及其原料重量百分比为:BaTiO3 42~45%,(Na0.5,Bi0.5)TiO3 19~26%,Pb(Sn0.6,Ti0.4)O3 28~38%,MgO 0.6~1%,Sm2O3 0.2~2%;其中Pb(Sn0.6,Ti0.4)O3使用PbO、SnO2与TiO2制备,三者的摩尔比为5∶3∶2;(Na0.5,Bi0.5)TiO3使用NaCO3、Bi2O3与TiO2制备,三者的摩尔比为2∶1∶4。制备方法包括:预制Pb(Sn0.6,Ti0.4)O3,预制(Na,Bi)TiO3,制坯烧结。本发明制造成本低廉,适用于电容器、滤波器等电子器件。 | ||
搜索关键词: | 抗温变 复合 电子 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种抗温变复合高介电子材料,其特征在于,其组分及其原料的重量百分比如下:BaTiO3为42~45%,(Na0.5,Bi0.5)TiO3为19~26%,Pb(Sn0.6,Ti0.4)O3为28~38%,MgO为0.6~1%,Sm2O3为0.2~2%。
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