[发明专利]一种原位合成A1N/A1电子封装材料的方法无效
| 申请号： | 201010147925.0 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101829784A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 朱明;王明静;王志华;王晓刚;杜双明;陈伟 | 申请（专利权）人： | 西安科技大学 |
| 主分类号： | B22F3/16 | 分类号： | B22F3/16 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法，将一定摩尔比的Al粉和NH4Cl均匀混合后，在20～30MPa压力下模压成型，再在200～400MPa压力下冷等静压成型，将干压成型后的生坯放入热压烧结炉中，预抽真空后关闭热压烧结炉的真空阀，通入N2使炉内气压回升到常压，在700～1000℃的温度下烧结制成AlN/Al复合材料。本发明的优点为：本发明所制备的AlN/Al复合材料中AlN为原位合成，与金属Al具有很好的界面结合；原料来源广、价格便宜，AlN的体积分数可以通过NH4Cl的添加量来控制；所制备的AlN/Al复合材料的热导率高，热膨胀系数与Si接近，完全能够满足电子封装的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 合成 a1n a1 电子 封装 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种原位合成AlN/Al电子封装材料的方法，其特征在于，合成过程为：将摩尔比为3～6∶1的Al粉和NH4Cl粉均匀混合后，先在20～30MPa压力下模压成型，再在200～400MPa压力下冷等静压成型，将冷等静压成型后的生坯放入石墨模具中，随后放入热压烧结炉中，预抽真空至0.05Pa后关闭热压烧结炉的真空阀，通入氮气使热压烧结炉内气压回升至常压，升温700～1000℃烧结，烧结过程中施加20～40MPa的压力，保温60～120分钟，随炉冷却后即制成AlN/Al复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科技大学，未经西安科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010147925.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多向对流LED路灯散热器的制造方法
- 下一篇：一种抗风浪生态浮床
