[发明专利]一种镁合金表面改性沉积非晶碳薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201010147944.3 申请日: 2010-04-16
公开(公告)号: CN101838791A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 邹友生;吴远方 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/06
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 唐代盛
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种镁合金表面改性沉积非晶碳薄膜的方法,该方法采用电弧离子镀技术,以石墨为阴极靶材,利用电弧离子镀在镁合金上低温制备硬度高、摩擦系数小、与基片结合强度高、耐磨耐腐蚀的非晶碳薄膜。本发明工艺简单、成本低廉、沉积温度低、沉积速度快、适用于大规模的工业化生产,经过表面沉积非晶碳薄膜改性后的镁合金可广泛用于汽车零部件和航空航天领域。
搜索关键词: 一种 镁合金 表面 改性 沉积 非晶碳 薄膜 方法
【主权项】:
一种镁合金表面改性沉积非晶碳薄膜的方法,其特征在于,采用电弧离子镀技术,以石墨为阴极靶材,在镁合金上沉积非晶碳薄膜,具体包括以下步骤:步骤1、对镁合金基片进行表面预处理;步骤2、将镁合金基片固定在电弧离子镀设备真空室内的衬底支架上,并对电弧离子镀设备真空室抽真空;步骤3、将氩气通入真空室,之后引燃电弧,在镁合金基片上施加高偏压对镁合金表面进行轰击清洗;步骤4、向真空室内通入沉积气体,调整沉积气氛,降低镁合金基片的偏压,调整镁合金基片的温度,控制石墨电弧源的弧电流和弧电压,在镁合金表面沉积非晶碳薄膜;步骤5、沉积结束后,关闭弧电源和偏压,关闭气体,待工件在真空室中冷却到室温,打开真空室取出样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010147944.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top