[发明专利]一种镁合金表面改性沉积非晶碳薄膜的方法无效
申请号: | 201010147944.3 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN101838791A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 邹友生;吴远方 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/06 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 唐代盛 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种镁合金表面改性沉积非晶碳薄膜的方法,该方法采用电弧离子镀技术,以石墨为阴极靶材,利用电弧离子镀在镁合金上低温制备硬度高、摩擦系数小、与基片结合强度高、耐磨耐腐蚀的非晶碳薄膜。本发明工艺简单、成本低廉、沉积温度低、沉积速度快、适用于大规模的工业化生产,经过表面沉积非晶碳薄膜改性后的镁合金可广泛用于汽车零部件和航空航天领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 镁合金 表面 改性 沉积 非晶碳 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种镁合金表面改性沉积非晶碳薄膜的方法,其特征在于,采用电弧离子镀技术,以石墨为阴极靶材,在镁合金上沉积非晶碳薄膜,具体包括以下步骤:步骤1、对镁合金基片进行表面预处理;步骤2、将镁合金基片固定在电弧离子镀设备真空室内的衬底支架上,并对电弧离子镀设备真空室抽真空;步骤3、将氩气通入真空室,之后引燃电弧,在镁合金基片上施加高偏压对镁合金表面进行轰击清洗;步骤4、向真空室内通入沉积气体,调整沉积气氛,降低镁合金基片的偏压,调整镁合金基片的温度,控制石墨电弧源的弧电流和弧电压,在镁合金表面沉积非晶碳薄膜;步骤5、沉积结束后,关闭弧电源和偏压,关闭气体,待工件在真空室中冷却到室温,打开真空室取出样品。
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