[发明专利]一种发光元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光元件及其制造方法。一种发光元件，包括：半导体衬底；发光部，包括夹在第一传导类型的第一包覆层与不同于第一传导类型的第二传导类型的第二包覆层之间的活性层；反射部，提供在半导体衬底与用于反射从活性层发射的光的发光部之间；以及，电流扩散层，与反射部相对地提供在发光部上并且表面上包括凹凸部。反射部包括多个成对的层，每个成对的层包括第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层，且第一半导体层具有由公式(1)和(3)定义的厚度TA1，且第二半导体层具有由公式(2)和(4)定义的厚度TB1。

主权项

一种发光元件，包括：半导体衬底；发光部，包括夹在第一传导类型的第一包覆层与不同于第一传导类型的第二传导类型的第二包覆层之间的活性层；反射部，提供在半导体衬底与用于反射从活性层发射的光的发光部之间；以及电流扩散层，与反射部相对地提供在发光部上并且表面上包括凹凸部，其中，反射部包括多个成对的层，每个成对的层包括第一半导体层和不同于第一半导体层的第二半导体层，且第一半导体层具有由公式(1)和(3)定义的厚度TA1，且第二半导体层具有由公式(2)和(4)定义的厚度TB1，公式(1)： T A 1 = λ P 4 n A 1 - ( n In sin θ n A ) 2 公式(2)： T B 1 = λ P 4 n B 1 - ( n In sin θ n B ) 2 公式(3)： T A 1 ≥ λ P 4 n A 公式(4)： T B 1 ≥ λ P 4 n B , 其中，λP为从活性层发射的光的峰值波长，nA为第一半导体层的折射率，nB为第二半导体层的折射率，nIn为第一包覆层的折射率，且θ为从第一包覆层到第一半导体层的入射角，该入射角被定义为相对于入射平面的法线的角度。