[发明专利]使用电容性耦合钳位电路用于保护低电压磁芯晶体管免受高电压输出的ESD保护有效
| 申请号： | 201010148208.X | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101800424A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 邝国权;吴植伟;苏伟杰;关兴杰 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种静电放电(ESD)保护电路用于保护磁芯晶体管。n-通道输出晶体管的栅极的内部节点连接n-通道栅极接地晶体管的漏极并接地。栅极接地晶体管的栅极是一个栅极耦合节点，其通过ESD耦合电容器被耦合到输出，并通过n-通道禁止晶体管和漏泄电阻器被接地。n-通道禁止晶体管的栅极被连接到电源，并在接通电源时禁止ESD保护电路。一个被施加到输出的ESD脉冲通过ESD耦合电容器被耦合以升高栅极耦合节点的脉冲，并打开栅极接地晶体管以将n-通道输出晶体管的栅极接地，其亦击穿以将ESD电流分流。通过栅极接地晶体管的保护，免除了ESD脉冲通过n-通道输出晶体管的寄生米勒电容器的耦合而进入磁芯电路。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电容 耦合 电路 用于 保护 电压 晶体管 免受 输出 esd | ||
【主权项】：
一个电容性耦合静电放电(ESD)保护电路，包括：磁芯电路，其有晶体管，该晶体管使用一个最小晶体管栅长，并驱动一个内部节点；一个输出晶体管，其有一个栅极由磁芯电路的内部节点驱动；一个在焊盘节点上的输出焊盘，其被连接到输出晶体管的源极/漏极；一个ESD耦合电容器，其被耦合在焊盘节点和栅极耦合节点之间；一个栅极接地晶体管，其栅极被连接到栅极耦合节点，其源极/漏极被连接到内部节点；和一个禁止晶体管(disabling transistor)，其源极/漏极被连接到栅极耦合节点，用于接通电源时驱动一个禁止电压到栅极耦合节点上；其中禁止电压使栅极接地晶体管停止从内部节点传导电流；其中当ESD被施加到焊盘节点时，栅极接地晶体管开启以分流被耦合穿过输出晶体管的寄生米勒电容的电荷；由此，提供磁芯电路的ESD保护。
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