[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。第二导电类型的高剂量杂质层形成在器件形成区中，并且用作源极和漏极；第二导电类型的低剂量层分别设置在第二导电类型的高剂量杂质层中的每一个的周围以在深度方向和沟道长度方向上扩展每个第二导电类型的高剂量杂质层，第二导电类型的低剂量杂质层的至少一部分位于栅电极以及栅绝缘膜的下方；栅绝缘膜在其位于第二导电类型的低剂量杂质层的上方的部分处具有倾斜部分，该倾斜部分的厚度连续地从栅电极的中心向着侧面增加而没有形成拐点。

主权项

一种半导体器件，包括：器件隔离膜，所述器件隔离膜形成在第一导电类型的半导体层中；器件形成区，所述器件形成区由所述器件隔离膜来划分；沟道形成区，所述沟道形成区被设置到所述器件形成区；栅绝缘膜，所述栅绝缘膜位于所述沟道形成区的上方；栅电极，所述栅电极位于所述栅绝缘膜的上方；至少两个第二导电类型的高剂量杂质层，所述至少两个第二导电类型的高剂量杂质层形成在所述器件形成区中，并且用作晶体管的源极和漏极；以及第二导电类型的低剂量杂质层，所述第二导电类型的低剂量杂质层形成在所述器件形成区中，分别设置在所述第二导电类型的高剂量杂质层中的每一个的周围，使其在深度方向和沟道长度方向上扩展所述第二导电类型的高剂量杂质层，并且具有比所述第二导电类型的高剂量杂质层的杂质浓度低的杂质浓度，所述第二导电类型的低剂量杂质层中的至少一部分位于所述栅电极的下方，并且所述栅绝缘膜在其位于所述第二导电类型的低剂量杂质层的上方的部分处具有倾斜部分，所述倾斜部分的厚度从所述栅电极的中心向着侧面连续地增加而没有形成拐点。