[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010149895.7 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101847661A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 坂田淳一郎;岸田英幸;大原宏树;佐佐木俊成;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一种方式的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；栅电极和氧化物半导体层之间的绝缘层；包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，源区及漏区使用退化的氧化物半导体材料或氧氮化物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；所述栅电极和所述包含氧化硅的氧化物半导体层之间的绝缘层；以及所述包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，所述源区及漏区包括退化的氧化物半导体材料或退化的氧氮化物材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010149895.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：放大器电路以及收发机
- 下一篇：图像形成装置、通信装置和通信方法
- 同类专利
- 专利分类
