[发明专利]制造多个集成半导体构件的方法有效
| 申请号： | 201010150053.3 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101847600A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 斯文·贝尔贝里希 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 车文;樊卫民 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在用于在载体(2)上制造多个集成半导体构件(8)的方法中，将有源的基本结构(4)以连续的、至少越过要制造的半导体构件(8)的一部分边界(10)的方式加工到载体(2)中，将半导体构件(8)的区域在载体(2)上确定，在每个半导体构件(8)的区域中，借助于掩模(12)将覆盖层(14)施加到载体(2)上，以及在形成半导体构件(8)的情况下，将载体(2)在半导体构件(8)的边界(10)处进行切分。在所述方法中，在制造3D-缓冲器构件期间，能够以简单的方式来对该3D-缓冲器构件进行定标。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成 半导体 构件 方法 | ||
【主权项】：
用于在载体(2)上制造多个集成半导体构件(8)的方法，在所述方法中，-将有源的基本结构(4)以连续的、至少越过要制造的半导体构件(8)的一部分边界(10)的方式加工到所述载体(2)中，-在所述载体(2)上确定所述半导体构件(8)的区域，-在每个所述半导体构件(8)的区域中，借助于掩模(12)将结构化的覆盖层(14)施加到所述载体(2)上，-在形成所述半导体构件(8)的情况下，将所述载体(2)在所述半导体构件(8)的所述边界(10)处进行切分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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