[发明专利]亚阈值MOSFET带隙基准源无效
| 申请号： | 201010150345.7 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101819449A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 虞春英 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗工艺涨落的亚阈值MOSFET带隙基准源，它由负温度系数电流产生电路和启动电路、正温度系数电流产生电路、基准电压产生电路组成，其中本发明的负温度系数电流产生电路采用了体电位调制技术，将其中亚阈值NMOSFET(用于产生负温度系数电压)的体端从衬底独立出来，与本发明的调制电压发生器的输出端相连。根据实际工艺涨落情况，通过调整调制电压发生器中的变阻器，产生合适的调制电压来补偿由于工艺涨落导致的亚阈值NMOSFET阈值电压的变化，进而大大降低工艺涨落对亚阈值MOSFET带隙基准源的输出基准电压的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 mosfet 基准 | ||
【主权项】：
一种亚阈值MOSFET带隙基准源，它包括启动电路(31)，保证上电后整个基准源时刻处于导通工作状态；正温度系数电流产生电路(32)，用于产生一个与绝对温度成正比的电流支路；负温度系数电流产生电路(33)，用于产生一个与绝对温度成反比的电流支路；基准电压产生电路(34)，将上述两条支路电流汇合并相互抵消温度的影响，最终产生一个零温度系数的基准电压；其特征在于：所述的负温度系数电流产生电路(33)采用了体电位调制技术，用于抗工艺涨落。
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