[发明专利]发光元件、发光器件和电子设备有效
申请号: | 201010150729.9 | 申请日: | 2006-04-17 |
公开(公告)号: | CN101867019A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备,其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制;但是,具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃,例如2-叔丁基-9,10-双(2-萘基)蒽、蒽、9,10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物,展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 器件 电子设备 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;以及形成在第一电极和第二电极之间的发光层和混合层,其中该混合层包括芳族烃和金属氧化物。
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