[发明专利]发光元件、发光器件和电子设备有效

专利信息
申请号: 201010150729.9 申请日: 2006-04-17
公开(公告)号: CN101867019A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L27/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备,其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制;但是,具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃,例如2-叔丁基-9,10-双(2-萘基)蒽、蒽、9,10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2,5,8,11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物,展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
搜索关键词: 发光 元件 器件 电子设备
【主权项】:
一种发光器件,包括:第一电极;第二电极;以及形成在第一电极和第二电极之间的发光层和混合层,其中该混合层包括芳族烃和金属氧化物。
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