[发明专利]高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法有效
| 申请号： | 201010151101.0 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102103994A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李达元;许光源;于雄飞;李威养;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法，该方法包括提供一半导体基板；形成一栅极结构于该半导体基板之上，该栅极结构包括一虚置介电层及一虚置栅极设置于该虚置介电层之上；自该栅极结构移除该虚置栅极和虚置介电层，由此形成一沟槽；形成一界面层于该半导体基板上；形成一高介电常数介电层于该界面层之上，部分地填入该沟槽；形成一阻挡层于该高介电常数介电层之上，部分地填入该沟槽；形成一顶盖层于该阻挡层之上，部分地填入该沟槽；实施一退火工艺；移除该顶盖层；形成一金属层于该阻挡层之上，且填入该沟槽的剩余部分；以及实施一化学机械研磨法以移除该沟槽外部的各层。本发明可改善最终元件中的high-k介电层的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介电层 金属 栅极 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法，包括：提供一半导体基板；形成一栅极结构于该半导体基板之上，该栅极结构包括一虚置介电层及一虚置栅极设置于该虚置介电层之上；自该栅极结构移除该虚置栅极和虚置介电层，由此形成一沟槽；形成一界面层于该半导体基板上；形成一高介电常数介电层于该界面层之上，部分地填入该沟槽；形成一阻挡层于该高介电常数介电层之上，部分地填入该沟槽；形成一顶盖层于该阻挡层之上，部分地填入该沟槽；实施一退火工艺；移除该顶盖层；形成一金属层于该阻挡层之上，且填入该沟槽的剩余部分；以及实施一化学机械研磨法以移除该沟槽外部的各层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
