[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201010151192.8 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101819996A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王敬;许军;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体结构，包括衬底，形成在衬底上的过渡层或绝缘层，依次形成在过渡层或绝缘层上的第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层、第二应变宽禁带半导体层，以及形成在第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠，和形成在第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。该半导体结构不仅能抑制两种BTBT漏电的产生，另外还能在中间的应变窄禁带半导体层(例如应变Ge层或应变SiGe层)中产生空穴势阱，提高载流子的迁移率，改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的过渡层或绝缘层；形成在所述过渡层或绝缘层之上的第一应变宽禁带半导体层；形成在所述第一应变宽禁带半导体层之上的应变窄禁带半导体层；形成在所述应变窄禁带半导体层之上的第二应变宽禁带半导体层；形成在所述第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠；和形成在所述第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。
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