[发明专利]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201010151574.0 | 申请日： | 2010-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101815179A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 任张强 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215300 江苏省昆山市开发*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器，像素单元，所述像素单元包括复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管，所述复位晶体管包括源极，所述源极作为像素单元的感应节点，还包括：复位单元，所述复位单元在输入的第一信号为高电位时，将所述感应节点电位升至高电位，在所述第一信号由高电位转换为低电位时，将复位晶体管的沟道电阻增大。通过增大复位晶体管的导通电阻，相对减小了复位噪声带宽，使得更多的复位噪声可以通过负反馈运算放大器消除。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管，所述复位晶体管包括源极，所述源极作为像素单元的感应节点，其特征在于，还包括：复位单元，所述复位单元在输入的第一信号为高电位时，将所述感应节点电位升至高电位，在所述第一信号由高电位转换为低电位时，将复位晶体管的沟道电阻增大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山锐芯微电子有限公司，未经昆山锐芯微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010151574.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种视频处理方法及终端
- 下一篇：一种照片连拍的处理方法、系统及摄像设备
