[发明专利]硅酸盐材料的洁净工艺及其设备有效
| 申请号： | 201010151738.X | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101901743A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 萨曼莎·坦;陈宁 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石英衬底的处理方法，该方法包括：制备用于提供具有初始粗糙度的工作表面的衬底；然后超声酸蚀刻该工作表面使其粗糙度增加至少约10％。在本发明的一实施例中，初始表面粗糙度大于约10Ra，以及在另一实施方式中，初始表面粗糙度大于约200Ra。在再一实施例中，如果初始表面区域的粗糙度小于约200Ra，就要增加该区域的粗糙度使其大于约200Ra。在本发明的其它实施例中，工作表面的粗糙度增加至少约25％或者约50％。同时，随着表面区域粗糙度的增加，由于减少衬底上颗粒的污染而减少了表面的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸盐 材料 洁净 工艺 及其 设备 | ||
【主权项】：
一种石英衬底表面处理方法，所述方法包括：超声酸蚀刻衬底以基本上去除所述衬底工作表面中的一条或多条的裂纹；以及将所述衬底表面进行最终洁净工序来制备用于使用的所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
