[发明专利]一种高电压输入的电压跟随器无效

专利信息
申请号: 201010152068.3 申请日: 2010-04-12
公开(公告)号: CN101820255A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 杨维明;潘希武;杨武韬;吴国婧;张豪杰;杨道虹 申请(专利权)人: 湖北大学;武汉博而硕微电子有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45
代理公司: 武汉金堂专利事务所 42212 代理人: 丁齐旭
地址: 430062 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提出了一种高电压输入的电压跟随器,其电路主要由运放电路、输入级、输出级、钳位电路和恒流源电路组成,在电路中由低压场效应管M1,M2,M3,M4,M5,M9和M12构成标准的运放电路。耐高压的NMOS高压管M10为电压跟随器的输出级。电压跟随器的输入接在耐高压的NMOS高压管M11的栅极上,场效应管M6,M7,M8通过栅漏相连的方式连接成钳位电路,电流源I1,I2,I3为电路提供恒定的电流。本发明线路简单,便于集成化。该电路可以在高电压输入的情况下,实现对一个输入范围很宽的电压进行精确的跟踪放大。
搜索关键词: 一种 电压 输入 跟随
【主权项】:
一种高电压输入的电压跟随器,电路主要由运放电路、输入级、输出级、钳位电路和恒流源电路组成,其特征在于在电路中低压场效应管M1,M2,M3,M4,M5,M9和M12构成标准的运放电路,耐高压的NMOS高压管M10为电压跟随器的输出级,电压跟随器的输入接在耐高压的NMOS高压管M11的栅极上,场效应管M6,M7,M8通过栅漏相连的方式连接成钳位电路,PMOS场效应管M5,M8,M9的源端连接到结点1,NMOS场效应管M3,M4,M6,M12,以及高压NMOS管M11的源端连接到结点2,NMOS管M12的栅端连接在结点3上,高压NMOS管M10的栅端连接到结点4上,高压管M10的源端接到结点5上,结点5与该电路的输出直接相连,PMOS场效应管M2的栅极连接到结点6上,高压NMOS管M11的栅极也连接到结点6上,结点6直接与该电路的输入端相连,电流源I1的两端分别接地和结点2上,电流源I2的两端分别接在结点1和结点7上,电流源I3的两端分别接到地和结点5上。
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