[发明专利]实现太阳能电池背表面缓变叠层钝化薄膜的方法

摘要

本发明涉及太阳能电池生产方法领域，尤其是实现太阳能电池背表面缓变叠层钝化薄膜的方法，在经处理后的太阳能电池硅片背光表面通过化学气相沉积工艺法进行沉积薄膜，开始沉积时的气体为SiH4和N2O的混合气体，在沉积过程中逐渐加入NH3，使得薄膜的组分由硅片表面的二氧化硅向外层变为硅的氮氧化物再向外层变为氮化硅，薄膜的厚度在50nm～300nm之间。本发明沉积速度快，产量高，能一次实现多种薄膜的沉积，沉积出来的薄膜致密度高。工艺中不需要高温过程，所需的热预算少，避免了热氧化的高温影响，这种叠层缓变薄膜能有效地降低由不同薄膜组合带来的界面态，且比起单纯的氮化硅改善了热稳定性，降低了膜应力。

主权项

一种实现太阳能电池背表面缓变叠层钝化薄膜的方法，其特征在于：在经处理后的太阳能电池硅片背光表面通过化学气相沉积工艺法进行沉积薄膜，开始沉积时的气体为SiH4和N2O的混合气体，在沉积过程中逐渐加入NH3，使得薄膜的组分由硅片表面的二氧化硅向外层变为硅的氮氧化物再向外层变为氮化硅。