[发明专利]一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法有效

专利信息
申请号: 201010152369.6 申请日: 2010-04-16
公开(公告)号: CN101880165A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 刘志勇;索红莉;马麟;刘敏;叶帅;田辉;袁慧萍;邱火勤;周美玲 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/40;H01B13/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法,步骤包括:在高纯Ar保护气氛下,将Ln和As粉按摩尔比1∶(1~1.1)混合,封装在高真空石英管内进行热处理,最后炉冷至室温,得到LnAs粉末;在高纯氩气保护的手套箱内,粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶(1.1~1.5)x进行配比、研磨、压制成片,然后在高真空下进行退火处理,炉冷至室温,最终制备出LnO1-xFxFeAs超导体,其中Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu,0<x<0.6。本发明方法提高铁基超导体性能的同时,提高铁基超导体的制备效率。
搜索关键词: 一种 短时间 烧结 技术 制备 超导体 方法
【主权项】:
一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法,其特征在于,所使用的初始原料:稀土元素、砷粉(As)、铁粉(Fe)、氧化铁粉末(Fe2O3)、氟化钐粉末(SmF3);主要包括以下步骤:(1)初始粉末LnAs的制备:在高纯Ar保护气氛下,将需要的稀土粉末(Ln)和As粉按摩尔比1∶(1~1.1)的比例进行称量,充分混合,将混合均匀的原料封装在高真空10-4~10-6Pa的石英管内,然后进行热处理,热处理过程依次为:室温~400℃升温速率为1~5℃/min,400℃~600℃升温速率为1~5℃/min,600℃保温3~10小时,600℃~900℃升温速率为1~5℃/min,900℃保温10~25小时,最后炉冷至室温;(2)铁基超导体LnO1-xFxFeAs的制备:在高纯氩气保护的手套箱内,将第一步中制备好的初始粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶(1.1~1.5)x进行配比;将其充分研磨,压制成片状;然后将其在高真空10-4~10-6Pa环境下进行退火处理;其中热处理过程依次为:首先0~600℃,升温速率为1~5℃/min;600℃~900℃,升温速率为1~3℃/min;然后在900℃保温5~15小时;900℃~(1100℃~1200℃),升温速率为1~3℃/min;最后在1100℃~1200℃保温20~30小时;炉冷至室温,最终制备出LnO1-xFxFeAs超导体,其中Ln=La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu,0<x<0.6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010152369.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top