[发明专利]一种MEMS压力敏感芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201010152893.3 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101825505A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 沈绍群;周刚;王树娟;郭玉刚 | 申请（专利权）人： | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾朝瑞 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS压力敏感芯片。其能有效提高芯片的稳定性，其误差小、精度高。其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于：所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅（SiO2）的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压力 敏感 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS压力敏感芯片，其包括硅片、基底、敏感电阻排布区、敏感电阻排布区外部电气连接件，其特征在于：所述基底具体为衬底硅片，所述衬底硅片的上表面和下表面的中心部分均开有浅槽，所述衬底硅片的上表面为二氧化硅（SiO2）的氧化层，所述硅片的底面键合于所述衬底硅片的上表面。
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