[发明专利]一种银掺杂二氧化钛薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201010153504.9 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102219179A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 周树云;章启军;孙承华;胡秀杰;严峻;陈萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于贵金属掺杂氧化物半导体薄膜材料领域，特别涉及一种Ag/TiO2薄膜材料及其制备方法。本发明的主要特征是结合溶胶凝胶法与溶剂热合成法制备技术，利用溶胶凝胶法在基底表面上制备一层TiO2种子层，然后利用溶剂热合成法在覆盖有TiO2种子层的基底表面生长出Ag/TiO2纳米片，由此获得垂直生长在基底上的由Ag/TiO2纳米片组成的Ag/TiO2薄膜材料。本发明的Ag/TiO2薄膜材料兼具二氧化钛半导体材料与银的优点，在抗菌材料、太阳能电池、光催化、除臭、自清洁等方面有重要的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种银掺杂二氧化钛薄膜材料，其特征是：所述的银掺杂二氧化钛薄膜材料是由垂直生长在基底上的Ag/TiO2纳米片构成，所述的Ag/TiO2纳米片的高度为0.4～2μm，厚度为5～15nm，银掺杂量为0.16～5atom％。
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