[发明专利]一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法有效

专利信息
申请号: 201010153603.7 申请日: 2010-04-23
公开(公告)号: CN102235945A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 孔金丞;赵俊;孔令德;张鹏举;王光华;李雄军;杨丽丽;姬荣斌 申请(专利权)人: 昆明物理研究所
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28
代理公司: 昆明今威专利代理有限公司 53115 代理人: 赛晓刚
地址: 650223 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法,其特正在于采取A.衬底清洗,B.甩胶,C.生长材料,D.剥离的技术步骤,获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品,生长薄膜材料的衬底,可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片。本发明方法工艺简单、成品率较高,不需引入机械、化学、离子束等减薄技术,具有不易污染、成本低、可操作性强的优点;用这种工艺制备的非晶态薄膜可以减少假象、破裂现象的发生。
搜索关键词: 一种 用于 透射 研究 晶态 薄膜 样品 制备 方法
【主权项】:
一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法,其特征在于通过以下步骤实现:A.衬底清洗,将作为衬底材料的载玻片,用洗洁剂在纯水中擦洗干净后放在重铬酸钾溶液中浸泡24小时,再用纯水冲洗干净,放到超声仪中用30W超声处理10分钟,取出用高纯氮气吹干;B.甩胶,在黄光暗室中用均胶机在经步骤A处理过的衬底上均匀地甩一层有机胶,均胶机转速设置为5000~7700转每分钟;C.生长材料,采用磁控溅射的方法在衬底上生长非晶薄膜材料,磁控溅射的生长工艺参数为:背景真空度2.0×10‑4~4.0×10‑4pa,溅射气体为高纯氩气,流量20~150sccm,衬底温度T为10~50℃,工作压强为0.8~1.5pa,溅射功率5~300W,薄厚20~200nm;D.剥离,将生长在衬底上的非晶态薄膜连同衬底一起放入丙酮中浸泡4小时,再放入乙醇中浸泡2小时后取出,待薄膜表面乙醇挥发完,得到用于电镜样品实验的非晶态薄膜。
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