[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010153756.1 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102237398A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 陈世杰;王文武;王晓磊;韩锴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种MOS半导体器件的栅极结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的界面层薄膜；形成在所述界面层薄膜之上的高K栅介质层；和形成在所述高K栅介质层之上的金属栅极，所述金属栅极从下至上依次包括金属栅功函数层、氧吸除元素阻挡层、金属栅氧吸除层、金属栅阻挡层和多晶硅层。通过在金属栅中引入金属栅氧吸除层来达到在退火工艺中隔绝外界氧气进入界面层和吸除界面层中的氧的目的，从而减薄界面层，有效地减小MOS器件的EOT，并且通过增加氧吸除元素阻挡层，从而避免“氧吸除元素”扩散进入高K栅介质层而对其产生不利影响，使得高K金属栅系统的集成更为容易，器件性能得到进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS半导体器件的栅极结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的界面层薄膜；形成在所述界面层薄膜之上的高k栅介质层；和形成在所述高k栅介质层之上的金属栅极，所述金属栅极从下至上依次包括金属栅功函数层、氧吸除元素阻挡层、金属栅氧吸除层、金属栅阻挡层和多晶硅层。
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