[发明专利]一种去除铜导线之间铜残留的方法有效
| 申请号： | 201010153887.X | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102222638A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 魏红建;黄军平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除铜导线之间铜残留的方法，采用蚀刻工艺在介质层上形成通孔，并在通孔中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层，采用电化学镀ECP生长铜互连层，采用第一化学机械研磨(CMP)将铜互连层抛光至介质层表面，形成铜导线，该方法包括：在有铜残留的介质层表面热沉积硅化物；采用第二CMP去除硅化物和铜残留。采用该方法增强了铜导线的耐腐蚀性，减缓了第二CMP过程中铜导线与研磨液的反应程度，使第二CMP可控时间范围扩大，从而在完全去除铜残留的基础上，保证铜导线不至于断裂，影响铜互连的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 导线 之间 残留 方法 | ||
【主权项】：
一种去除铜导线之间铜残留的方法，采用蚀刻工艺在介质层上形成通孔，并在通孔中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层，采用电化学镀生长铜互连层，采用第一化学机械研磨将铜互连层抛光至介质层表面，形成铜导线，该方法包括：对有铜残留的介质层表面热沉积硅化物；采用第二化学机械研磨去除硅化物和铜残留。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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