[发明专利]在半导体光刻工艺中进行的对准方法无效
| 申请号： | 201010153908.8 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102221792A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 马骏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在半导体光刻工艺中进行的对准方法，应用在半导体器件有源区AA及AA形成之前的离子注入层的光刻工艺时的对准过程，光刻机将具有AA或AA形成之前的离子注入层图形的光掩膜上的对准标记与制作在晶圆边缘的对准标记进行对准后光刻，其中在晶圆边缘的对准标记的制作步骤为：采用激光标记的方式在晶圆表面制作晶圆标识的同时，采用激光标记的方式在晶圆边缘表面刻出对准标记。本发明提供的方法省略制作零层对准标记的一系列光刻、蚀刻和清洗等工序，在不复杂、无额外制作费用及不耗时的情况下得到对准标记，用于AA及AA之间的离子注入层的光刻工艺过程中的对准，使得制作半导体器件的周期变短、费用减少且简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光刻 工艺 进行 对准 方法 | ||
【主权项】：
一种在半导体光刻工艺中进行的对准方法，应用在半导体器件有源区AA及AA形成之前的离子注入层的光刻工艺时的对准过程，其特征在于，光刻机将具有AA或AA形成之前的离子注入层图形的光掩膜上的对准标记与制作在晶圆边缘的对准标记进行对准后光刻，其中在晶圆边缘的对准标记的制作步骤为：采用激光标记的方式在晶圆表面制作晶圆标识的同时，采用激光标记的方式在晶圆边缘表面刻出对准标记。
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