[发明专利]光电装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010153941.0 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101944542A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 明承烨 | 申请（专利权）人： | 韩国铁钢株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 葛强;邬玥 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供光电装置及其制造方法，其中，光电装置包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；至少一个光电转换层，设置在所述第一电极上，且包括受光层；第二电极，设置在所述光电转换层上，其中，所述受光层包括分别含有氢化非晶硅的第一子层和第二子层；所述第一子层和第二子层包括非硅元素；所述第二子层包括被所述氢化非晶硅包围的晶硅晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电装置，包括：基板(100)；第一电极(210)，设置在所述基板上；至少一个光电转换层(230)，设置在所述第一电极上，且包括受光层(233)；第二电极(250)，设置在所述光电转换层上，其中，所述受光层包括分别含有氢化非晶硅的第一子层(233a)和第二子层(233b)；所述第一子层和第二子层含有非硅元素；所述第二子层包括被氢化非晶硅包围的晶硅晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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