[发明专利]ALD装置和方法有效
申请号: | 201010154378.9 | 申请日: | 2003-01-17 |
公开(公告)号: | CN101818334A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 奥弗·斯内 | 申请(专利权)人: | 松德沃技术公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/56;H01L21/687 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蔡胜利 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了ALD装置和方法,其中,一种设于具有反应器容器壁的反应器容器中的周边狭槽阀包括:基板传输狭槽,其穿过反应器容器壁;连续周边腔,其位于反应器容器壁内;连续周边密封提升头;以及致动器,其用于在打开位置和关闭位置之间移动密封提升头;密封提升头当处于关闭位置上时移入周边腔,当处于打开位置上时移出周边腔,基板传输狭槽与基板保持器的基板支承面大致共面,周边腔与基板传输狭槽大致共面,基板传输狭槽在密封提升头处于打开位置上时限定一条穿过反应器容器壁直至基板保持器的基板传输通道,并且密封提升头在其处于关闭位置上时将基板传输狭槽与反应器容器内部隔离开来。 | ||
搜索关键词: | ald 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种设于具有反应器容器壁的反应器容器中的周边狭槽阀,包括:一个基板传输狭槽,其穿过所述反应器容器壁;一个连续周边腔,其位于所述反应器容器壁内;一个连续周边密封提升头;以及一个致动器,其用于在打开位置和关闭位置之间移动所述密封提升头;其中,所述密封提升头当处于所述关闭位置上时移入所述周边腔,当处于所述打开位置上时移出所述周边腔,所述基板传输狭槽与所述基板保持器的基板支承面大致共面,所述周边腔与所述基板传输狭槽大致共面,所述基板传输狭槽在所述密封提升头处于所述打开位置上时限定一条穿过所述反应器容器壁直至所述基板保持器的基板传输通道,并且所述密封提升头在其处于所述关闭位置上时将所述基板传输狭槽与所述反应器容器内部隔离开来。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松德沃技术公司,未经松德沃技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010154378.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的