[发明专利]LED芯片封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 201010154758.2 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222754A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;郭景宗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L35/34;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种LED芯片封装结构及其封装方法，其中LED芯片封装方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成导电薄膜；在所述导电薄膜的表面形成散热元件，所述散热元件包括p型热电结构、n型热电结构、与p型热电结构和n型热电结构相邻并介于p型热电结构和n型热电结构之间的隔离层；沿所述半导体衬底的第二表面在所述半导体衬底内形成暴露出导电薄膜的开口，所述开口用于容纳LED单元。本发明的LED芯片封装方法与半导体工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片封装方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成导电薄膜；在所述导电薄膜的表面形成散热元件，所述散热元件包括p型热电结构、n型热电结构、与p型热电结构和n型热电结构相邻并介于p型热电结构和n型热电结构之间的隔离层；沿所述半导体衬底的第二表面在所述半导体衬底内形成暴露出导电薄膜的开口，所述开口用于容纳LED单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010154758.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁路独立转子结构
- 下一篇：一种利用烟气余热有机碳氢混合物汽轮机发电系统
