[发明专利]具有垂直信道存取晶体管及存储器平面的相变化存储单元

摘要

本发明是揭露一种存储器装置及其制造方法。在此描述的一种存储器装置是包含多条字符线于一多条位线之上以及多个场效应晶体管。在此多个场效应晶体管中的场效应晶体管包含一个第一端电性耦接至此多条位线中一条对应位线，一个第二端于此第一端之上，以及一个信道区域分隔此第一及第二端且邻近此多条字符线中的一条对应字符线。此对应字符线是作为此场效应晶体管的栅极。一个介电质将此对应字符线与此信道区域分隔开。一个存储器平面包含可程序电阻存储器材料，其电性耦接至此场效应晶体管各别的第二端，以及导电材料位于此可程序电阻存储器材料上且耦接至一个共享电压。

主权项

一种存储器装置，包含：多条位线；多条字符线于该多条位线之上；多个场效应晶体管，该多个场效应晶体管中的场效应晶体管包含：一第一端电性耦接至该多条位线中一对应位线；一第二端于该第一端之上；一信道区域分隔该第一及该第二端且邻近该多条字符线中的一对应字符线，该对应字符线作为该场效应晶体管的栅极，且一介电质将该对应字符线与该信道区域分隔开；以及一存储器平面包含可程序化电阻存储器材料，其电性耦接至该各场效应晶体管的该第二端，以及导电材料位于该可程序电阻存储器材料上且耦接至一共享电压。