[发明专利]电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法有效
| 申请号： | 201010156378.2 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102237397A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张金中;张文余 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L27/12;H01L21/77;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法，其中电极结构包括：采用射频磁控溅射法制备的第一铝层，采用直流磁控溅射法制备的第二铝层，及采用直流磁控溅射法制备的金属层；金属层位于第一铝层和第二铝层的上方；其中，第一铝层的晶粒小于第二铝层的晶粒。本发明中，第一铝层可以较快的释放压缩应力，避免了小丘生成；第二铝层的电阻率较小，能够满足电极信号延迟的要求；同时金属层也可以抑制铝层表面生成小丘。本发明无需增加额外的刻蚀和阳极氧化工艺，节省了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种电极结构，其特征在于，包括：采用射频磁控溅射法制备的第一铝层，采用直流磁控溅射法制备的第二铝层，及采用直流磁控溅射法制备的金属层；所述金属层位于所述第一铝层和所述第二铝层的上方；其中，所述第一铝层的晶粒小于所述第二铝层的晶粒。
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