[发明专利]蓝宝石基复合衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 201010156397.5 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102208338A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 施建江;杨少延;刘祥林 | 申请（专利权）人： | 杭州海鲸光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波;屈玉华 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蓝宝石基复合衬底及其制造方法。该蓝宝石复合衬底用于制备氮化物半导体外延材料的蓝宝石基复合衬底，其特征在于，包含：一蓝宝石单晶基底；一复合应力协变层，覆盖在所述蓝宝石单晶基底上，由多层氮化铝单晶薄膜材料和多层氮化钛单晶薄膜材料交替堆叠构成；一氮化镓模板层，生长在所述复合应力协变层上，由氮化镓单晶薄膜材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 复合 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备氮化物半导体外延材料的蓝宝石基复合衬底，其特征在于，包含：一蓝宝石单晶基底；一复合应力协变层，覆盖在所述蓝宝石单晶基底上，由多层氮化铝单晶薄膜材料和多层氮化钛单晶薄膜材料交替堆叠构成；一氮化镓模板层，生长在所述复合应力协变层上，由氮化镓单晶薄膜材料构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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