[发明专利]P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺有效
| 申请号： | 201010156890.7 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101819950A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 魏守国;雷必庆 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L27/04 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 张荣亮 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺，属于半导体硅器件与集成电路制造技术领域，主要特点是在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离，采用P-阱深扩散技术、低硼注入与以氧化层掩蔽高能离子浅注入顶栅共同形成的浅沟道制作技术以及适当的工艺调控制成了所需求的兼容混合集成的p沟道JFET，本发明实现了既具有双极集成电路的速度高、驱动能力强的优点，同时又具有高增益、低功耗、高阻抗、高电压输出的电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 jfet 混合 集成电路 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种P沟道JFET与双极混合集成电路，包括普通双极集成电路，其特征是，在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
