[发明专利]离子注入系统及方法有效
| 申请号： | 201010157013.1 | 申请日： | 2010-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN102194637A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;朱水平 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入系统，其包括：一离子源和一引出装置；在该离子束的传输路径上依次设有：一质量分析磁铁；一校正磁铁；一工件扫描装置；该系统还包括：一设于该校正磁铁上游的扫描磁铁，用于扫描通过的离子束，以使注入工位处的该预设能量范围内的离子束在离子束扫描方向上的分布覆盖该工件；一设于注入工位处的束流测量装置，用于在离子束的扫描方向上测量束流的强度分布和角度分布。本发明还公开了一种利用上述离子注入系统实现的离子注入方法。本发明能够实现对离子束的注入角度均匀性和注入强度均匀性的精确控制，并且降低了生产成本、简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入系统，其特征在于，其包括：一离子源和一引出装置，该引出装置用于从该离子源引出会聚的离子束；在该离子束的传输路径上依次设有：一质量分析磁铁，用于从该离子束中选择一预设荷质比范围内的离子束；一校正磁铁，用于校准该预设荷质比范围内的离子束；一工件扫描装置，用于使工件穿过该预设荷质比范围内的离子束以进行离子注入；该系统还包括：一设于该校正磁铁上游的扫描磁铁，用于扫描通过的离子束，以使注入工位处的该预设能量范围内的离子束在离子束扫描方向上的分布覆盖该工件，其中，离子束的扫描速度远大于工件的扫描速度，且离子束的扫描方向与工件的扫描方向相垂直；一设于注入工位处的束流测量装置，用于在离子束的扫描方向上测量束流的强度分布和角度分布。
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