[发明专利]基于缺陷地结构的低损耗带通滤波器无效
申请号: | 201010157143.5 | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN101853975A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 黄德昌;刘海文;朱路;官雪辉;张跃进;王传云;张智翀;文品;高晓晖 | 申请(专利权)人: | 华东交通大学 |
主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330013 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种基于缺陷地结构的低损耗带通滤波器,所述滤波器上层在50欧姆阻抗匹配的微带传输线上采用一对折型馈线结构(5)、(6),并在此基础上加载了一对T型加载电容(3)、(4);滤波器地平面上采用“凹”型缺陷地结构(DGS)。所述滤波器一对折型馈线(5)和(6)之间通过缝隙(7)耦合;输入微带传输线(1)和输出微带传输线(2)之间通过缝隙(10)耦合。本发明采用一种对称的折型馈线结构、T型加载电容和“凹”型DGS不仅简化了加工复杂度、在通带周围产生2个传输零点而且DGS结构提高了滤波器阻带抑制能力——抑制表面波和高次谐波干扰,从而获得了很好的频率的选择性,本发明的设计紧凑、微小,易于集成,在密集的集成电路中使用方便。 | ||
搜索关键词: | 基于 缺陷 结构 损耗 带通滤波器 | ||
【主权项】:
一种基于缺陷地结构的低损耗带通滤波器,其特征在于,具备:滤波器上层在50欧姆阻抗匹配的微带传输线上采用一对折型馈线结构并在此基础上加载了一对T型加载电容;滤波器地平面上采用“凹”型缺陷地结构(DGS)。
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