[发明专利]多电极离子阱有效

专利信息
申请号: 201010157381.6 申请日: 2006-06-27
公开(公告)号: CN101819914A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: A·A·马卡洛夫 申请(专利权)人: 萨默费尼根有限公司
主分类号: H01J49/42 分类号: H01J49/42;H01J49/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 蔡悦
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明主要涉及多反射静电系统,尤其涉及对轨道阱静电离子阱的改进。本发明提出了一种适用于操作静电离子俘获装置的方法,该静电离子俘获装置具有能够模拟单个电极工作的电极阵列,所述方法包括:确定三个或者多个不同电压,当将这些电压施加于多个电极中的各个电极时就产生静电俘获场,该俘获场近似于将电压施加于单个电极所产生的场;以及将三个或者多个所确定的电压施加于各个电极。另一项改进是从一个或者多个所采集到的质谱中具有不同强度的峰值中测量多个性能,并得到特性,以及使用所测量到的特性来改善将要施加于多个电极的电压。
搜索关键词: 电极 离子
【主权项】:
一种用于操作具有电极阵列的静电离子阱装置的方法,所述电极阵列可操作地用于模仿单个电极,所述方法包括:确定三个或者多个不同的电压,当这些电压被施加于所述多个电极中的各个电极时产生一静电俘获场,该静电俘获场近似于通过将电压施加于单个电极所产生的场;以及将所述三个或者多个如此确定的电压施加于各个电极。
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