[发明专利]高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构无效
| 申请号： | 201010157501.2 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101820136A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王冠;王俊;崇锋;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/20;H01S5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型镓砷材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N-镓砷材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N-铝镓砷材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，为N-铝镓砷材料，该下波导层制作在下限制层上；一下垒层，为镓砷磷材料，该下垒层制作在下波导层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上波导层，该上波导层制作在上垒层上；一P型上限制层，为P-铝镓砷材料，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，为P-镓砷材料，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，为P-镓砷材料，该电极接触层制作在过渡层上。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 对称 波导 980 nm 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型镓砷材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N-镓砷材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N-铝镓砷材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，为N-铝镓砷材料，该下波导层制作在下限制层上；一下垒层，为镓砷磷材料，该下垒层制作在下波导层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下垒层上；一上垒层，该上垒层制作在量子阱层上；一上波导层，该上波导层制作在上垒层上；一P型上限制层，为P-铝镓砷材料，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，为P-镓砷材料，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，为P-镓砷材料，该电极接触层制作在过渡层上。
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