[发明专利]一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010157530.9 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102237268A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成界面SiO2层，然后在其上形成高K栅介质层；所述高K栅介质层经过快速热退火处理后，在其上形成TiN金属栅电极层；在所述TiN金属栅电极层上形成硅栅层，并在其上形成硬掩膜层；光刻，通过干法刻蚀工艺对硬掩膜层进行刻蚀；去胶，以硬掩膜层为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TiN金属栅电极层和高K栅介质层进行高选择比各向异性刻蚀。本发明不仅可以满足TiN金属栅以及高K材料在插入式金属栅叠层结构中制备的需要，而且还能通过优化TiN金属栅和高K介质的刻蚀工艺得到陡直的刻蚀剖面，为实现高K/金属栅的集成提供了必要保证。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 插入 tin 金属 栅叠层 结构 制备 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法，其特征在于，该方法包括：步骤10：在半导体衬底上形成界面SiO2层，然后在其上形成高K栅介质层；步骤20：所述高K栅介质层经过快速热退火处理后，在其上形成TiN金属栅电极层；步骤30：在所述TiN金属栅电极层上形成硅栅层，并在其上形成硬掩膜层；步骤40：光刻，通过干法刻蚀工艺对硬掩膜层进行刻蚀；步骤50：去胶，以硬掩膜层为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行各向异性刻蚀；步骤60：通过干法刻蚀工艺对TiN金属栅电极层和高K栅介质层进行高选择比各向异性刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
