[发明专利]用于描述在透光基底上的薄硅层的特性的方法和装置无效
| 申请号： | 201010157575.6 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101858856A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 康拉德·麦克;于尔根·戈贝尔;乔尔格·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司微成像有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N21/31 | 分类号： | G01N21/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种描述在透光基底(2.1)上的薄硅层(2.2)的特性、特别是描述太阳能电池坯件(2)特性的方法和装置。为了在短时间内以对相对位置或取向改变的小的敏感性进行光学特性描述，亦即快速并且不敏感地描述薄硅层的特性，借助至少一个光学探测器接收透射通过硅层的和/或在硅层上反射的光，根据接收的光，确定硅层对于至少一个波长、优选对于可见光的吸收系数，并且根据所述吸收系数(和硅层的厚度)，确定在硅层的无定形的成分和结晶的成分之间的比例或这些成分之一和这些成分之和之间的比例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 描述 透光 基底 薄硅层 特性 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种描述在透光基底(2.1)上的薄硅层(2.2)的特性、特别是描述太阳能电池坯件(2)特性的方法，其中，进行以下步骤：-借助至少一个光学探测器(5，7)接收透射通过所述硅层(2.2)的和/或在硅层(2.2)上反射的光，-根据接收的光确定硅层(2.2)对于至少一个波长的吸收系数，并且-借助吸收系数确定在硅层的无定形的成分和结晶的成分之间的比例，或这些成分之一和这些成分之和之间的比例。
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