[发明专利]一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法无效
| 申请号： | 201010157652.8 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101820134A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 胡理科;熊聪;祁琼;王冠;马骁宇;刘素平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/028 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法，包括：将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡，对激光器bar条进行钝化处理，并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层；用去离子水冲洗bar条，并用丙酮、异丙醇脱水后再用氮气吹干，然后装上镀膜架，放入MOCVD仪器中；对MOCVD仪器抽真空，开烘烤加热，并通入保护气体；先升高衬底温度，将硫钝化层中的非晶硫层升华，然后通入生长源，在硫饨化层上外延生长一层ZnSe钝化保护薄膜；降温后取出镀膜架，再放入镀膜机中，在激光器bar条的钝化保护薄膜之上镀上增透膜和高反膜。本发明有效去除了腔面氧化层和表面态，减少了对腔面的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 半导体激光器 钝化 方法 | ||
【主权项】：
一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡，对激光器bar条进行钝化处理，并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层；步骤2：用去离子水冲洗bar条，并用丙酮、异丙醇脱水后再用氮气吹干，然后装上镀膜架，放入MOCVD仪器中；步骤3：对MOCVD仪器抽真空，开烘烤加热，并通入保护气体；步骤4：先升高衬底温度，将硫钝化层中的非晶硫层升华，然后通入生长源，在硫钝化层上外延生长一层ZnSe饨化保护薄膜；步骤5：降温后取出镀膜架，再放入镀膜机中，在激光器bar条的钝化保护薄膜之上镀上增透膜和高反膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010157652.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种便携式底栖动物网筛装置
- 下一篇：一种超声波换能器
